El transistor MOS debe su nombre a la disposición de los elementos que lo componen. Los contactos con el exterior se realizan mediante la vaporización de Aluminio (Metal). Éstos contactos están unidos a un único tipo de material semiconductor N o P (Semiconductor), que forman los contactos de Drenador y Fuente, que a su vez se encuentran inmersos en un material que hace de substrato del conjunto, de material contrario al semiconductor utilizado en los terminales. Por último,
Esta versión del curso se formó a partir de una versión anterior, que fue dirigida activamente por el instructor y sus asistentes de enseñanza. Es posible que parte de lo que se menciona en las videoconferencias y el material adjunto con respecto a la logística, la disponibilidad de libros y el método de clasificación ya no sean relevantes para la presente versión. Ni el instructor ni los asistentes de enseñanza originales están ejecutando esta versión del curso. No se ofrecerá ningún certificado para este curso.
Aprenda cómo funcionan los transistores MOS y cómo modelarlos. La comprensión proporcionada en este curso es esencial no solo para los modeladores de dispositivos, sino también para los diseñadores de circuitos de alto rendimiento. los elementos citados se encuentran separados por una fina capa de dióxido de Silicio.
Lo que aprenderas:
- Acerca de este curso y descripción general del transistor MOS:
- ¡Bienvenido al curso “Transistores MOS”! Estamos muy emocionados de poder ofrecer este curso y esperamos trabajar con usted.
- Preliminares y antecedentes
- Las estructuras MOS de dos y tres terminales
- El transistor MOS de canal largo – Parte 1:
- Este es el primer módulo del que nos ocupamos del transistor completo; gran parte de este material, así como el material del próximo módulo, formarán el núcleo de lo que cubriremos en el resto del curso. Esperamos que dedique más tiempo a estudiar para asegurarse de que comprende este material en profundidad. El tiempo total de visualización en cada uno de estos dos módulos es más corto, lo que debería ayudar.
- El transistor MOS de canal largo – Parte 2:
- Este material concluye las conferencias sobre el transistor de canal largo en funcionamiento en CC. Como se mencionó anteriormente, estas conferencias formarán el núcleo en el que se basarán muchas de nuestras discusiones posteriores.
- Efectos de dimensión pequeña 1
- En este módulo estamos tratando con fenómenos que ocurren cuando las dimensiones del transistor se reducen; este es un conocimiento importante que se debe tener cuando se trabaja con dispositivos modernos.
- Efectos de pequeña dimensión 2; Modelado para simulación de circuitos:
- Terminaremos este módulo con efectos de pequeñas dimensiones, y luego hablaremos de modelos para simulación de circuitos (los diseñadores de circuitos probablemente ya estén usando tales modelos). Discutimos lo que se necesita para hacer un buen modelo para la simulación de circuitos (entre otras cosas: mucha precaución y cuidado, ¡y aproximadamente 20,000 líneas de código!).
- Y cómo puede detectar posibles problemas con tales modelos. Aunque los modelos para la simulación de circuitos incluyen capacidades que aún no hemos discutido, como el modelado de carga, creemos que ya sabe lo suficiente sobre los modelos en este punto para poder seguir esta discusión general (que está fuera de secuencia, es del Capítulo 10 en el libro, donde se puede encontrar mucho más sobre el tema).
- Operación dinámica de gran señal:
- En este módulo hay una desviación significativa de lo que hemos hecho hasta este punto: permitiremos que las tensiones terminales del transistor varíen con el tiempo. Determinaremos las corrientes terminales resultantes, que ahora incluirán un componente de “carga”. Haremos esto tanto para velocidades moderadas como muy altas. La respuesta transitoria de los circuitos implica cálculos similares, solo realizados por computadora para un conjunto de transistores y otros dispositivos.
- Modelado de pequeña señal I:
- El material de este módulo trata sobre el modelado de señales pequeñas y constituye una parte importante de la descripción del comportamiento del transistor MOS. Relaciona pequeños cambios en los voltajes terminales con los pequeños cambios resultantes en las corrientes. El modelado de señales pequeñas es clave para el diseño de circuitos analógicos, pero no solo; también se utiliza en el diseño de circuitos digitales de alto rendimiento (por ejemplo, en el diseño de amplificadores de detección de memoria).
- Modelado de pequeña señal II:
- Este material concluye nuestra discusión sobre el modelado de señales pequeñas; muestra cómo podemos modelar el transistor a frecuencias en las que el modelo simple que obtuvimos la semana pasada no es válido. Este modelo es importante en aplicaciones de alta frecuencia, por ejemplo, diseño de transceptores.
- Examen final:
- El examen es libro abierto, notas abiertas, videos abiertos. Cubre el material de las primeras nueve semanas de videos del curso. NO se le permite discutir el examen, directa o indirectamente, con nadie. Cualquiera que sea encontrado en violación de esta regla será eliminado del curso. Por supuesto, debe sentirse libre de informar problemas técnicos con el examen y su presentación.
- Fin de curso:
- Aunque su conocimiento de este material no se evaluará en el examen final, le recomendamos que lo revise, ya que trata temas importantes, como el ruido, la implantación de iones y la falta de uniformidad del sustrato y la variabilidad estadística; Estos temas ayudarán a completar su comprensión de los transistores MOS.
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